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机译:氧沉淀物对CZ-sILICON晶片表面沉淀镍的影响
K. Nakamura; J. Tomioka;
机译:Cz-硅中氧气沉淀物中铁再溶解的模拟及其对吸杂效率的影响
机译:Czochralski硅晶片中氧气沉淀物组成的当前阶段
机译:通过EDX,EELS和FTIR光谱研究直拉硅片中氧沉淀物的化学计量
机译:氧气沉淀对Cz-硅晶片镍表面沉淀的影响
机译:镍-X(固溶体)在有序镍合金(X =铝,锗)中的粗化动力学和形貌演化。
机译:氧同位素标记实验揭示了镍和镍铁氧化物上析氧反应的不同反应部位
机译:模拟铁在CZ-硅中沉淀的铁再溶解及其对吸气效率的影响
机译:氮/碳稳定的氧沉淀成核中心,理想的硅沉淀硅片
机译:理想的制氮硅片,具有氮/碳稳定化的氧析出核中心,并且制造工艺相同
机译:理想的制氮硅片,具有氮/碳稳定的氧析出核中心,并且制造工艺相同
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