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【2h】

Device performance in conventional and strained Si n-MOSFETs with high-κ gate stacks

机译：具有高κ栅极堆叠的常规和应变si n-mOsFET中的器件性能

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作者
L. Yang; J. R. Watling; A. Asenov; J. R. Barker; S. Roy;
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年度 2015
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原文格式 PDF
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1. Defect Passivation With Fluorine and Interface Engineering for Hf-Based High- $k$/Metal Gate Stack Device Reliability and Performance Enhancement [J] . Tseng Hsing-Huang, Tobin P.J., Kalpat S., IEEE Transactions on Electron Devices . 2007,第12期

机译：含氟缺陷钝化和接口工程，用于基于for的高k $ /金属栅堆叠设备的可靠性和性能增强
2. Low-temperature electrical characterization of fully depleted eXtra-strained SOI n-MOSFETs with TiN/Hf0_2 gate stack for the 32-nm technology node [J] . S. Feruglio, F. Andrieu, O. Faynot Cryogenics . 2009,第11期

机译：具有TiN / Hf0_2栅叠层的32纳米技术节点的全耗尽超应变SOI n-MOSFET的低温电气特性
3. Low-temperature electrical characterization of fully depleted eXtra-strained SOI n-MOSFETs with TiN/Hf0_2 gate stack for the 32-nm technology node [J] . S. Feruglio, F. Andrieu, O. Faynot Cryogenics . 2009,第11期

机译：具有TiN / Hf0_2栅叠层的32纳米技术节点的全耗尽超应变SOI n-MOSFET的低温电气特性
4. Device performance in conventional and strained Si n-MOSFETs with high-κ gate stacks [C] . L. Yang, J. R. Watling, A. Asenov, International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices(SISPAD 2004); 20040902-04; Munich(DE) . 2004

机译：具有高κ栅极堆叠的常规Si应变硅n-MOSFET的器件性能
5. Advanced gate stacks for strained silicon devices. [D] . Lin, Yanxia. 2005

机译：用于应变硅器件的高级栅极叠层。
6. Electrical Characteristics of the Uniaxial-Strained nMOSFET with a Fluorinated HfO2/SiON Gate Stack [O] . Yung-Yu Chen 2014

机译：氟化HfO2 / SiON栅堆叠的单轴应变nMOSFET的电学特性
7. RTS amplitudes in decanano n-MOSFETs with conventional and high-κ gate stacks [O] . Angelica Lee, Andrew R. Brown, Asen Asenov, 2013

机译：具有常规和高κ栅极叠层的decanano n-MOSFET的RTS幅度

Device performance in conventional and strained Si n-MOSFETs with high-κ gate stacks

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