机译:通过RIE干蚀刻和KOH湿蚀刻技术结合沿<1120>方向制造GaN基条纹结构,以恢复干蚀刻损伤
机译:结合反应性离子刻蚀和KOH湿法刻蚀技术对GaN(1100)平面进行平直而平滑的刻蚀
机译:电化学湿蚀刻m KOH:H2O溶液和二次/离子图像被动电压对比作为故障分析中的补充技术
机译:悬臂尖端的最佳KOH湿法蚀刻,用于纳米教机捕获的更好图像
机译:湿蚀刻中同时控制临界尺寸和侧壁斜率的最佳设计。
机译:KOH溶液中Si的一步各向异性湿法腐蚀制备的两层微结构
机译:HF / HNO $ _3 $和KOH溶液中的深湿蚀刻对351 nm熔融石英光学元件的抗激光损伤性和表面质量的影响