机译:掺入电介质袋(VESIMOS-DP)的垂直应变直击式电离MOSFET的掺杂浓度分析
机译:垂直应变冲击电离MOSFET(VESIMOS)的深度设计和仿真分析
机译:采用双通道垂直应变SIGE冲击电离MOSFET(VESIMOS)的击穿电压降低分析
机译:内置电介质袋(VESIMOS-DP)的垂直应变SiGe冲击电离MOSFET的性能分析
机译:金属氧化物半导体结构的碰撞电离和增强电容分析。
机译:使用双层门绝缘子在GaN-on-Si垂直沟槽MOSFET中:对性能和可靠性的影响
机译:掺杂浓度分析垂直应变-SiGe碰撞电离MOSFET介电袋(VESIMOS-DP)的性能分析