机译:使用高温GaN中间层减少在AlN /蓝宝石模板上生长的AlGaN层中的螺纹位错
机译:富含缺陷的GaN中间层,有助于消除在(0001)取向的蓝宝石衬底上生长的极性GaN晶体中的位错
机译:降低在相邻蓝宝石(0001)衬底上生长的GaN膜中的螺纹位错密度
机译:使用原位SINX中间层减少穿线脱位密度
机译:蓝宝石上的氮化镓薄膜通过横向外延过生长来减少螺纹位错。
机译:接近无应变的GaN兼容缓冲层上GaN外延层中的超低穿线位错密度及其在异质外延LED中的应用
机译:富含缺陷的GaN中间层,促进在(0001)的蓝宝石底板上生长的极性GaN晶体中的螺纹脱位湮灭