机译:0.98μmInGaAs / GaAs / InGaP应变DOW激光器中InGaAsP隔离限制层的优势,可在高温下进行大功率操作
机译:InGaAs / GaAs应变层垂直腔表面发射激光器的脉冲和连续波高温操作
机译:高功率,单模InGaAs-GaAs-AlGaAs应变量子阱激光器,采用新的电流阻挡方案,使用MBE在低衬底温度下生长的GaAs层
机译:1.5微米波长应变层InGaAs / InGaAsP SIPBH激光器的高功率和高温操作
机译:InAs / GaAs短周期应变层超晶格的分子束外延生长。
机译:用于高温操作的InAs / InAsSb应变层超晶格中波红外探测器
机译:应变层多量子阱InGaAsP / InP激光器高温效应的自洽分析
机译:alInGaas-alGaas应变单量子阱二极管激光器的高功率,高温操作