机译:MOVPE生长的应变压电[111] A取向InGaAs / GaAs量子阱结构的结构性质
机译:In组成对MOVPE生长并通过光谱反射率原位监测的In_xGa_(1-x)As / GaAs结构性质的影响
机译:Movpe生长的In _(。08)ga _(。92)as / gaas结构的结构和形貌特性的温度效应研究
机译:高度应变的InGaAs / GaAs量子井结构的界面和压电性能(111)通过MOVPE的GaAs基材生长
机译:I.某些咪唑基桥接铜(II)配合物的合成,溶液行为,晶体结构和磁性。二。含碳桥基的三铜(II)簇的晶体结构和磁性。
机译:有限尺寸对MnAs / GaAs(001)图案化微结构薄膜的结构和磁性的影响
机译:111 A取向压电InGaAs / GaAs / AlGaAs高应变量子阱激光器结构的MOVPE生长和性能
机译:控制氧气共沉积制备半绝缘mOVpE Gaas的深能级结构