机译:GaInAsP-InP垂直腔面发射激光器的连续波操作高达1.3 / splμm/ m的36 / spl deg / C
机译:1.5μmGaInAsP / InP垂直腔面发射激光器的室温脉冲操作
机译:1.5微米GaInAsP / InP垂直腔表面发射激光器的室温脉冲操作
机译:1.5- / splμm/ m的GaInAsP / InP垂直腔表面发射激光器的室温脉冲操作
机译:工程垂直腔面发射激光器,用于高速运行。
机译:不同腔配置中锁模垂直外腔面发射激光器的时滞-微分方程建模
机译:InP上基于光泵浦的1.6μm发射基于量子破折号的垂直外腔表面发射激光器的A类操作
机译:选择性氧化图案化Inp基垂直腔面发射激光器和VCsEL阵列