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机译:用于超浅结形成的CVD Delta掺杂硼表面层
F. Sarubbi; L. K. Nanver; T. L. M. Scholtes;
机译:插入氧层对硼,磷和砷在硅中扩散的影响,形成超浅结
机译:表面邻近性对电子通过硅中超浅三角形掺杂层传输的影响
机译:通过rf-PECVD在175℃下准外延生长硼和磷掺杂的硅膜而形成的超浅结
机译:用于超浅结形成的CVDδ掺杂的硼表面层
机译:低电阻超浅结形成的新方法。
机译:n硅与原子薄硼层之间的无掺杂结形成机理
机译:使用非晶硅覆盖层的纳米MOS器件的超浅结形成
机译:在CVD半导体层形成过程中通过吸附层源颗粒并从表面去除来抑制用作掩模的绝缘层上的核形成。
机译:表面波等离子体CVD装置及成膜方法
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