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机译:湿蚀刻技术揭示薄锗层中的穿线位错
L. Souriau; V. Terzieva; M. Meuris; M. Caymax;
机译:一种湿蚀刻技术,用于揭示薄锗层中的螺纹位错
机译:一种湿蚀刻技术,可用于Revea!锗薄层中的螺纹位错
机译:一种湿法蚀刻技术,揭示薄锗层中的穿线脱位
机译:通过热刻蚀揭示单晶蓝宝石的错位
机译:通过共面和非共面X射线衍射表征在(011)和(111)取向硅上生长的锗层中的位错
机译:应变Si0.2Ge0.8 / Ge多层堆叠在低/高温Ge缓冲层上长期生长,并选择性湿法蚀刻锗
机译:使用梯度GeSi层和平坦化控制硅上锗的螺纹位错
机译:使用平坦且倾斜的GeSi层控制锗在硅上的螺纹位错
机译:用于单层或多层的湿法蚀刻方法,包括Ag或Ag合金,以及用于包含Ag或Ag合金的单层或多层的蚀刻剂组合物,以及制造薄膜晶体管和薄膜晶体管的方法
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