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【2h】

Leakage Controlled Read Stable Static Random Access Memories

机译：漏电控制读稳定静态随机存取存储器

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Sayeed A. Badrudduza; Ziyan Wang; Giby Samson; Lawrence T. Clark;
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年度 2015
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1. Leakage Controlled Read Stable Static Random Access Memories [J] . Sayeed A. Badrudduza, Ziyan Wang, Giby Samson, Journal of Computers . 2008,第4期

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2. 39% access time improvement, 11% energy reduction, 32 kbit 1-read/1-write 2-port static random-access memory using two-stage read boost and write-boost after read sensing scheme [J] . Yamamoto Yasue, Moriwaki Shinichi, Kawasumi Atsushi, Japanese journal of applied physics . 2016,第4s期

机译：存取时间缩短39％，能耗降低11％，32 kbit 1读/ 1写2端口静态随机存取存储器，采用两级读增强和读感应方案后的写升压
3. Analyzing the Impact of Nano-Scale Body Biasing Technique on Leakage and Delay of Highly Stable 16-Bit Static Random Access Memory Array [J] . Shyam Akashe, Rachana Ekbote, Sanjay Sharma Journal of computational and theoretical nanoscience . 2013,第10期

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