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机译:石墨烯化学气相沉积在铜基体上的大物理吸附应变
Rui He; Liuyan Zhao; Nicholas Petrone; Keun Soo Kim; Michael Roth; James Hone; Philip Kim; Abhay Pasupathy; Aron Pinczuk;
机译:铜基板上石墨烯化学气相沉积中的大物理吸附应变
机译:介电基体上铜的气相催化石墨烯化学气相沉积
机译:使用樟脑前体在铜基材上的石墨烯层的低温化学气相沉积生长
机译:通过化学气相沉积路线简单地在介电基板上合成大面积多层石墨烯膜(通过CVD路线在介电基板上合成MLG膜)
机译:通过化学气相沉积法在透明基板上低温直接生长石墨烯薄膜。
机译:化学气相沉积法在铜箔上生长U形石墨烯结构域
机译:等离子体增强化学气相沉积石墨烯在铜基板上
机译:通过改进的化学气相沉积(ap-CVD)在铜基板上生成石墨烯的方法和系统
机译:通过改进的化学气相沉积(ap-CVD)在铜基板上生产石墨烯的方法和系统
机译:在化学气相沉积中使用抑制剂分子以在金属基板上沉积铜,而在相邻的SIO2基板上不沉积
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