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【2h】

GaN-based lasers on SiC: influence of mirror reflectivity on L–I characteristics

机译：siC上的GaN基激光器：镜面反射率对L-I特性的影响

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V. Schweglera; S. S. Schada; M. Scherera; M. Kampa; G. Ulub; M. Emsleyb; A. Lellc; S. Baderc; B. Hahnc; H. J. Lugauerc; F. K Uhnc; A. Weimarc; V. H. Arlec;
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年度 2015
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1. GaN-based lasers on SiC: influence of mirror reflectivity on L-I characteristics [J] . V.Schwegler, S.S.Schad, M.Scherer Journal of Crystal Growth . 2001,第3a4期

机译：SiC上的GaN基激光器：镜面反射率对L-I特性的影响
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