机译:低于50 nm DRAM单元晶体管的具有不重叠的源极/漏极至栅极的局部隔离沟道FinFET的特性
机译:低于50 nm DRAM单元晶体管的具有不重叠的源极/漏极至栅极的局部隔离沟道FinFET的特性
机译:50纳米以下DRAM单元晶体管具有不重叠的源极/漏极至栅极的局部隔离沟道FinFET的特性
机译:具有可制造的块状FinFET结构的50nm以下DRAM的改进的单元性能
机译:溶液可加工聚合物薄膜晶体管和小分子本体异质结太阳能电池中的结构-加工关系。
机译:体硅衬底上的新型14nm扇贝形FinFET(S-FinFET)
机译:用于子30 nm DRAM细胞晶体管的部分隔离型马趾FINFET(PI-FINFET)