机译:高功率,高效率微波放大器的GaN HBT结构分析
机译:GaInP / GaAs集电极-向上隧穿-集电极异质结双极晶体管(C-up TC-HBT):优化制造工艺和外延层结构以用于高效大功率放大器
机译:使用GaAs HBT和GaN HEMT的全集成宽带,高增益,高功率和高效率UHF放大器
机译:高功率,高效微波放大器GaN HBT结构分析
机译:使用谐波注入的微波GaN功率放大器的效率和线性增强。
机译:半导体和超材料圆柱结构的散射和吸收功率的微波分析
机译:开关模式放大器IC,使用Gaas-HBT和GaN-HEmT,具有超过90%的效率,适用于s类功率放大器
机译:线性分布式GaN mmIC功率放大器,具有更高的功率附加效率。