首页> 外文OA文献 >DC and microwave performance of recessed-gate GaN MESFETs using ICP-RIE

【2h】

DC and microwave performance of recessed-gate GaN MESFETs using ICP-RIE

机译：使用ICp-RIE的凹槽GaN mEsFET的DC和微波性能

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
C. Lee A; W. Lu A; E. Piner B; I. Adesida A;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2001
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Light Effect in Photoionization of Traps in GaN MESFETs [J] . Hadi Arabshahi, A. Binesh 中国电子科技：英文版 . 2010,第001期
2. DC and microwave performance of recessed-gate GaN MESFETs using ICP-RIE [J] . C. Lee, W. Lu, E. Piner Solid-State Electronics . 2002,第5期

机译：使用ICP-RIE的凹栅GaN MESFET的直流和微波性能
3. Microwave performance of GaN MESFETs [J] . Binari S.C., Rowland L.B. Electronics Letters . 1994,第15期

机译：GaN MESFET的微波性能
4. Selective-area growth and fabrication of recessed-gate GaN MESFET using plasma-assisted molecular beam epitaxy [J] . Seung Jae Hong, Patrick Chapman, Philip T. Krein, Physica Status Solidi. A, Applications and Materials Science . 2006,第7期

机译：使用等离子体辅助分子束外延的选择性区域生长和凹栅GaN MESFET的制造
5. Recessed-gate GaN MESFET using ICP-RIE for high temperature microwave applications [C] . Lee, C., Lu, . 2000

机译：使用ICP-RIE的嵌入式栅GaN MESFET用于高温微波应用
6. GaN Microwave DC-DC Converters. [D] . Ramos Franco, Ignacio. 2016

机译：GaN微波DC-DC转换器。
7. Effects of Recessed-Gate Structure on AlGaN/GaN-on-SiC MIS-HEMTs with Thin AlOxNy MIS Gate [O] . Hyun-Seop Kim, Myoung-Jin Kang, Jeong Jin Kim, 2020

机译：凹入式栅极结构对具有薄AlOxNy MIS栅极的AlGaN / GaN-on-SiC MIS-HEMT的影响
8. Study on DC Characteristics of 4H-SiC Recessed-Gate MESFETs [O] . 2003

机译：4H-SIC凹槽型磁架DC特性研究

DC and microwave performance of recessed-gate GaN MESFETs using ICP-RIE

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅