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【2h】

ELECTRON SCATTERING BY INTERFACE POLAR OPTICAL PHONONS IN DOUBLE BARRIER HETEROSTRUCTURES

机译：双障碍异质结构中界面极光学声子的电子散射

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1. Scattering of electrons by confined interface polar optical phonons in a double-barrier heterostructure [J] . Pozela J, Pozela K, Juciene V Semiconductors . 2007,第9期

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2. An increase in the electron mobility in the two-barrier AlGaAs/GaAs/AlGaAs heterostructure as a result of introduction of thin InAs barriers for polar optical phonons into the GaAs quantum well [J] . Pozela Y, Pozela K, Juciene V, Semiconductors . 2007,第12期

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3. Scattering of electrons by polar optical phonons in AlGaN/GaN single heterostructures [J] . Mora-Ramos ME, Velasco VR, Tutor J Surface Science . 2005,第1a3期

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4. Effects of uniaxial strain on polar optical phonon scattering and electron transport in monolayer MoS2 FETs [C] . Khadija A. Khair, Shaikh S. Ahmed International Conference on Nanotechnology . 2017

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5. Time-resolved optical studies of electronic spin scattering in diluted magnetic semiconductor heterostructures. [D] . Tulchinsky, David Abraham. 1995

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6. Electron Scattering via Interface Optical Phonons with High Group Velocity in Wurtzite GaN-based Quantum Well Heterostructure [O] . Kihoon Park, Ahmed Mohamed, Mitra Dutta, -1

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机译：光学声子散射对磁流变的影响双势异质结构
8. Optical Phonon Modes in a Double Heterostructure of Polar Crystals. [R] . Chen, R., Lin, D. L., George, T. F. 1989

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