首页> 外文OA文献 >Design and development of Low Noise Amplifier for RF/MW Receiver

【2h】

Design and development of Low Noise Amplifier for RF/MW Receiver

机译：RF / mW接收机低噪声放大器的设计与开发

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者

展开▼
作者单位

展开▼
年度 2015
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Low Power, Low Noise Amplifiers Design and Analysis for RF Receiver Front end Using 90NM CMOS Technology [J] . M. Ramana Reddy, N.S Murthy Sharma, P. Chandra Sekhar International Journal of VLSI Design & Communication Systems . 2016,第1期

机译：采用90NM CMOS技术的射频接收器前端低功耗，低噪声放大器的设计与分析
2. Design of RF Receiver Front-end Subsystems with Low Noise Amplifier and Active Mixer for Intelligent Transportation Systems Application [J] . Triapthi Shivesh, Mohapatra B., Tiwari Prabhakar, Defence Science Journal . 2020,第6期

机译：具有低噪声放大器和有源混频器的RF接收器前端子系统的设计，智能运输系统应用
3. Design of RF Receiver Front end Subsystems with Low Noise Amplifier and Active Mixer for Intelligent Transportation Systems Application [J] . Shivesh Triapthi, B. Mohapatra, Prabhakar Tiwari, Defence science journal . 2020,第6期

机译：具有低噪声放大器的RF接收器前端子系统设计和用于智能交通系统应用的主动混合器
4. A 1.8 to 2.4-GHz 20mW digital-intensive RF sampling receiver with a noise-canceling bandpass low-noise amplifier in 90nm CMOS [C] . Joonhee Lee, Kim Jaewook, Cho SeongHwan 2010 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC) . 2010

机译：一个1.8至2.4GHz 20mW数字密集型RF采样接收器，在90nm CMOS中具有降噪带通低噪声放大器
5. DESIGN AND PERFORMANCE OF MICROWAVE AMPLIFIERS WITH GALLIUM-ARSENIDE FETSFOR LOW NOISE FRONT-END RECEIVERS. [D] . SANKAR, M. HARI. 1976

机译：用于低噪声前端接收器的砷化镓毡微波放大器的设计和性能。
6. Design and Analysis of a Continuously Tunable Low Noise Amplifier for Software Defined Radio [O] . Aayush Aneja, Xue Jun Li 2019

机译：用于软件无线电的连续可调低噪声放大器的设计与分析
7. Design and performance of microwave amplifiers with gaas fets for low noise front-end receivers. [O] . M. Sankar -1

机译：用于低噪声前端接收器的GaAs FET的微波放大器的设计和性能。

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号