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机译:硅中的内禀点缺陷:晶体生长,晶圆加工和金属扩散的统一观点
机译:从晶体生长和晶片加工过程看硅内在点缺陷的性质
机译:硅晶体生长和晶圆加工中的内在缺陷及其控制
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机译:研究碳化硅的外延层和块状晶体的生长过程和缺陷形成。
机译:多晶硅片上扩散长度分布的通孔研究光致发光方法
机译:预测硅晶体生长中本征点缺陷扩散的材料参数
机译:硅样品预处理的方法,评价硅样品的金属污染的方法,用于评估单晶硅锭生长过程的方法,生产单晶硅锭的方法及制造硅晶片的方法
机译:用于生长硅晶体的方法,该方法可允许工艺条件变化,同时抑制聚集的本征点缺陷的形成
机译:硅p掺杂方法,例如制造晶闸管的p导电基极区,包括分离扩散层,在缺陷重结晶下将原子收集到晶片中,并将原子放置在空间位置
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