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【2h】

Submicrometer p-Type SiGe Modulation-Doped Field-Effect Transistors for High Speed Applications

机译：用于高速应用的亚微米p型siGe调制掺杂场效应晶体管

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I. Adesida; M. Arafa A; K. Ismail B; J. O. Chu C; B. S. Meyerson C;
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年度 2015
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