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机译:高静压下退火后CZ-si中注入氮的沉淀的FTIR研究
V. D. Akhmetov; A. Misiuk; H. Richter;
机译:静水压增强退火对Cz-Si:H,He显微组织的影响
机译:通过硅注入氮并在高静水压力下退火制备的结构
机译:高压退火中子辐照的Cz-Si的氧沉淀和缺陷产生
机译:高静压压力下Cz-Si中植入氮沉淀的FTIR研究
机译:静水压力对金空位中淬火后退火的影响。
机译:FTIR光谱和显微成像技术评估高静水压力对大肠杆菌超微结构膜完整性和分子组成的影响
机译:注入氮的In0.32Ga0.68P快速热退火的光致发光研究
机译:离子注入al在电子束脉冲退火过程中的沉淀
机译:在低温,高压氮气环境下采用植入后退火的半导体制造,以提高沟道和栅极氧化物的可靠性
机译:在低温高压氮气环境中采用植入后退火的半导体制造,以提高沟道和栅极氧化物的可靠性
机译:高温退火炉外壁形成裂纹时控制氮注入量,温度,压力和残余氢含量的工作条件确定方法
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