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机译:纳米CmOs电路中反向温度相关的传播延迟特性
Ranjith Kumar; Volkan Kursun;
机译:纳米CMOS电路中与温度有关的反向传播延迟特性
机译:纳米CMOS电路的单事件瞬态传播概率分析
机译:延迟和IDDT测试在检测纳米CMOS加法器电路的电阻性开路缺陷中的有效性
机译:CMOS数字逻辑电路传播延迟模型的改进。
机译:随机纳米氮化钛晶粒引起的动态功率延迟的特性波动以及全能门纳米线CMOS器件和电路的纵横比效应
机译:纳米CMOS技术中动态电路的泄漏功率特性
机译:高速CMOS输出缓冲电路最大程度地减少了传播延迟和撬棒电流
机译:传播延迟特性比较器电路
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