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机译:n型辐照锗的主要缺陷:第一性原理研究
A. Carvalho; R. Jones; C. Janke; S. Oberg; P. R. Briddon;
机译:n型辐照锗中的主要缺陷:第一性原理研究
机译:n型锗中的α粒子辐照引起的缺陷
机译:n型锗中快速中子辐照引起的缺陷
机译:N型辐照锗中的初步缺陷:一项原则调查
机译:在高能离子辐照过程中,会产生锗的表面缺陷和整体缺陷,以及锗的表面粗糙。
机译:吸附和掺杂Ce的石墨烯吸附Ag的第一性原理研究
机译:中子辐照和退火的n型锗的晶格聚集
机译:电子辐照N型锗的能级。
机译:用于制造与n型锗的主体的整流连接的方法,用于在n型锗的主体中形成整流连接的焊料以及包括与该n型锗的主体进行整流连接的半导体器件
机译:一次粒子束照射装置及调查方法
机译:用于图像传感器的收缩型光电二极管,在P型硅基板或盒与P型强掺杂区之间设有N型区,其中P型区由硅制成,而N型区由硅制成。锗
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