机译:NanoScale SRAM的动态读取Vmin和产量估计
机译:高密度和低VMIN应用的金属耦合和电荷共享写入电路方案的高密度和电荷共享辅助电路方案的5nm 135 Mb SRAM。
机译:10-NM SRAM设计使用栅极调制的自塌方写入辅助,可实现175 MV VMIN减少,具有可忽略的电力开销
机译:利用灵敏度分析来快速,准确地估计SRAM动态写入VMIN
机译:静态和动态场景的快速准确的摄像机运动估计
机译:快速准确地动态评估脑膜炎球菌疫苗的现场效果
机译:使用Canary sRam进行sRam动态写入VmIN跟踪的反向写入辅助电路