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【2h】

Phase Relationship between 3C- and 6H-Silicon Carbide at High Pressure and High Temperature

机译：3C和6H-碳化硅在高压和高温下的相关系

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作者
Shin Sugiyama; Motohiro Togaya;
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年度 2015
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1. Punchthrough behavior in short channel NMOS and PMOS 6H-silicon carbide transistors at elevated temperatures [J] . Man Pio Lam, Kornegay K.T. IEEE Transactions on Components and Packaging Technologies . 1999,第3期

机译：短沟道NMOS和PMOS 6H碳化硅晶体管在高温下的穿通行为
2. High Power, Room Temperature Terahertz Emitters Based on Dopant Transitions in 6H-Silicon Carbide [J] . James Kolodzey, Guang-Chi Xuan, Peng-Cheng Lv, 电子科技学刊：英文版 . 2014,第003期

机译：基于6H-碳化硅中掺杂跃迁的大功率室温太赫兹发射极
3. Monte Carlo study of the high temperature hydrogen cleaning process of 6H-silicon carbide for subsequent growth of nano scale metal oxide films [J] . Ghulam Moeen Uddin, Katherine S. Ziemer, Bing Sun, International Journal of Nanomanufacturing . 2013,第5a6期

机译：蒙特卡洛研究6H-碳化硅高温氢清洗工艺以随后生长纳米级金属氧化物膜的研究
4. Relationships for the Thermodynamic Properties of Carbon Phases at Elevated Temperatures and Pressures [C] . Leonard I. Stiel, Ernest L. Baker International Detonation Symposium . 2018

机译：升高温度和压力下碳相热力学性质的关系
5. Processing and characterization of 6H-silicon carbide and 4H-silicon carbide electronic devices for high-temperature (500 degrees C) operation. [D] . Casady, Jeffrey Blaine. 1996

机译：用于高温（500摄氏度）操作的6H碳化硅和4H碳化硅电子器件的处理和表征。
6. Temperature-Pressure Phase Relationships in Niobium Pentoxide [O] . J. L Waring, R. S. Roth, H. S. Parker 1973

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7. Adhesion of Carbide and Carbon Steels at High Pressures and Temperatures [O] . Kazuaki IWATA, Junshiro AIHARA, Katsuhide KURASAKA 1972

机译：碳化物和碳钢的粘附在高压和温度下
8. High Temperature Rectifiers and MOS Devices in 6H-Silicon Carbide [R] . Palmour, J. W., Edmond, J. A., Carter, C.H. 1992

机译：6H碳化硅中的高温整流器和mOs器件

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