首页> 外文OA文献 >An 11-Band 3.4 to 10.3 GHz MB-OFDM UWB Receiver in 0.25µm SiGe BiCMOS

【2h】

An 11-Band 3.4 to 10.3 GHz MB-OFDM UWB Receiver in 0.25µm SiGe BiCMOS

机译：采用0.25μmsiGeBiCmOs封装的11波段3.4至10.3 GHz mB-OFDm UWB接收器

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Alberto Valdes-garcia; Chinmaya Mishra; Faramarz Bahmani; Jose Silva-martinez; Edgar Sánchez-sinencio;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2015
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. An 11-Band 3–10 GHz Receiver in SiGe BiCMOS for Multiband OFDM UWB Communication [J] . Valdes-Garcia A., Mishra C., Bahmani F., IEEE Journal of Solid-State Circuits . 2007,第4期

机译：SiGe BiCMOS中的11频段3–10 GHz接收器，用于多频段OFDM UWB通信
2. An 11-Band 3–10 GHz Receiver in SiGe BiCMOS for Multiband OFDM UWB Communication [J] . Alberto Valdes-Garcia, Chinmaya Mishra, Faramarz Bahmani, IEEE Journal of Solid-State Circuits . 2007,第期

机译：SiGe BiCMOS中的11频段3–10 GHz接收器，用于多频段OFDM UWB通信
3. A 3.1- to 8.2-GHz Zero-IF Receiver and Direct Frequency Synthesizer in 0.18-μm SiGe BiCMOS for Mode-2 MB-OFDM UWB Communication [J] . Aly Ismail, Asad A. Abidi IEEE Journal of Solid-State Circuits . 2005,第12期

机译：用于模式2 MB-OFDM UWB通信的0.18μmSiGe BiCMOS中的3.1至8.2GHz零中频接收器和直接频率合成器
4. An 11-Band 3.4 to 10.3 GHz MB-OFDM UWB Receiver in 0.25/spl mu/m SiGe BiCMOS [C] . A. Valdes-Garcia, C. Mishra, F. Bahmani, VLSI Circuits, 2006 IEEE Symposium on . 2006

机译：0.25 / spl mu / m SiGe BiCMOS中的11频段3.4至10.3 GHz MB-OFDM UWB接收器
5. A PLL based frequency synthesizer in 0.13 micron silicon germanium BiCMOS for MB-OFDM UWB systems [D] . Chiang, Hsin-Che 2007

机译：用于MB-OFDM UWB系统的0.13微米硅锗BiCMOS中基于PLL的频率合成器
6. RF receiver front end for 28.5 GHz applications on a 70 GHz FT SiGe BiCMOS process [O] . Fortes, F, Mahmoudi, R Reza, Roermund, AHM Arthur van 2010

机译：在70 GHz FT SiGe BiCMOS工艺上用于28.5 GHz应用的RF接收机前端

An 11-Band 3.4 to 10.3 GHz MB-OFDM UWB Receiver in 0.25µm SiGe BiCMOS

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅