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机译:长通道对称DG mOsFET的非准静态小信号模型
Sudipta Sarkar; A S. Roy; Santanu Mahapatra;
机译:长通道对称DG MOSFET的统一大,小信号非准静态模型
机译:长通道无结对称DG MOSFET的建模和设计空间
机译:短沟道三材料对称栅堆叠(DGGS)的沟道电势和阈值电压的二维分析模型
机译:长通道对称DG MOSFET的非准静态小信号模型
机译:DG MOSFET接近阈值IV特性的非GCA建模
机译:具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
机译:均匀掺杂的短沟道对称双栅(DG)MOSFET的掺杂相关阈值电压模型
机译:双栅(DG)SOI比例逻辑,固有DG-MOSFET负载
机译:金属氧化物半导体型晶体管例如纳米MOSFET,用于处理器的建模方法,涉及确定导电通道的kT层的长度,其中确定导电通道的厚度
机译:具有感应宽带的电流控制CMOS电路具有两个n沟道MOSFET,其源极端子耦合到第一个节点,栅极端子耦合成分别接收两个差分逻辑信号
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