机译:通过离子切割工艺形成厚的绝缘体上硅晶片
机译:基于埋藏SiO_2薄膜的塑性变形和光滑滑动的He〜+注入绝缘体上硅晶片的整体双轴应变形成机理
机译:不同晶体取向的SiC晶片的氢注入和退火诱导剥落过程
机译:硅离子切割过程中氢相关缺陷的演化和空隙形成的μ拉曼光谱分析
机译:电催化工艺的机械研究:将木质素单体升级到生物燃料(探测底物协同); 通过借用氢机制烷基化胺与醇的烷基化; 并降低氨基酸中的羧酸官能团
机译:CN-19组织学检查与植入的BCNU-WAFERS相邻的病变提示血管损伤是其主要机制
机译:在硅晶片中通过氢注入产生的辐射缺陷区域中形成埋入的绝缘sixNy层