Failure Precursors for Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs

机译：绝缘栅双极晶体管（IGBT）的故障前兆

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Nishad Patil; Diganta Das; Kai Goebel; Michael Pecht;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2009
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Precursor Parameter Identification for Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Prognostics [J] . Patil N., Celaya J., Das D., Reliability, IEEE Transactions on . 2009,第2期

机译：绝缘栅双极晶体管（IGBT）预测的前体参数识别
2. A novel gate geometry for the IGBT: the trench planar insulated gate bipolar transistor (TPIGBT) [J] . Spulber O., Narayanan E.M.S. IEEE Electron Device Letters . 1999,第11期

机译：IGBT的新型栅极几何结构：沟槽平面绝缘栅双极晶体管（TPIGBT）
3. Liquid cooling module incorporating a metal foam and fin hybrid structure for high power insulated gate bipolar transistors (IGBTs) [J] . Applied thermal engineering: Design, processes, equipment, economics . 2020,第期

机译：液体冷却模块包含用于高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）的金属泡沫和鳍混合结构
4. Failure Precursors for Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) [C] . Nishad Patil, Diganta Das, Kai Goebel, International Seminar on Power Semiconductors . 2008

机译：绝缘栅双极晶体管（IGBT）的失效前兆
5. Modeling of SiC P-channel insulated gate bipolar transistors (IGBTS). [D] . Saadeh, Mahmood Shihadeh. 2011

机译：SiC P沟道绝缘栅双极晶体管（IGBTS）的建模。
6. Remaining Useful Life Estimation of Insulated Gate Biploar Transistors (IGBTs) Based on a Novel Volterra k-Nearest Neighbor Optimally Pruned Extreme Learning Machine (VKOPP) Model Using Degradation Data [O] . Zhen Liu, Wenjuan Mei, Xianping Zeng, 2017

机译：基于新型Volterra k最近邻最优修剪极限学习机（VKOPP）模型的绝缘栅双极晶体管（IGBT）剩余寿命估算
7. The Influence of Soldering Profile on the Thermal Parameters of Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) [O] . Adrian Pietruszka, Paweł Górecki, Sebastian Wroński, 2021

机译：焊接轮廓对绝缘栅双极晶体管热参数的影响（IGBTS）

Failure Precursors for Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅