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【2h】

A read-static-noise-margin-free SRAM cell for lowVDD and high-speed applications

机译：一种用于低VDD和高速应用的无静态噪声边缘sRam单元

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Koichi Takeda; Yasuhiko Hagihara; Yoshiharu Aimoto; Masahiro Nomura; Yoetsu Nakazawa; Toshio Ishii; Hiroyuki Kobatake;
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年度 2006
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1. A Read-Static-Noise-Margin-Free SRAM Cell for Low-VDD and High-Speed Applications [J] . Koichi Takeda, Yasuhiko Hagihara, Yoshiharu Aimoto, IEEE Journal of Solid-State Circuits . 2006,第1期

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A read-static-noise-margin-free SRAM cell for lowVDD and high-speed applications

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