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机译:在700 K下注入6H-siC氦和氧的结构和光学性质
H. H. Zhang; W. M. Gao; Y. L. Shen; B. S. Li;
机译:600 K下注入6H-SiC氦的结构和光学性质
机译:氧注入6H-SiC中损伤的光学特性研究
机译:离子注入6H-SiC薄膜的结构和光学研究
机译:700 K注入的6H-SiC氦和氧的结构和光学性质
机译:注入条件对注氧硅中微结构演变的影响。
机译:Cu离子植入对聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)结构电子光学和介电性能的影响
机译:注入氮对锰注入GaN的微观结构,光学和磁性的影响
机译:获得例如单晶硅的大规模单晶硅层表征方法。网格参数无序,涉及定性和量化由氦或氢注入层产生的约束,缺陷或结构无序
机译:监测作为活性成分药物的氙气混合物中氙气的浓度的方法,该混合物通过已知的氧气和(或)氮气和/或氦气的已知成分通过用于二氧化碳的设备进行再循环氙气的气体混合物的再循环设备,该混合物具有已知的氧气和任选的氮气和/或氦气的医用成分。通过使用了二氧化碳的设备和设备分析仪,该设备将二氧化碳引入混合物中。
机译:结构分析方法,结构分析装置,结构分析程序,用于结构分析的物理性质计算方法,用于结构分析的物理性质计算装置以及用于结构分析的物理性质计算程序
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