首页> 外文OA文献 >Characterization of Phosphorous and Boron Doped Silicon Oxynitride Prepared by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
【2h】

Characterization of Phosphorous and Boron Doped Silicon Oxynitride Prepared by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

机译:等离子体增强化学气相沉积法制备磷,硼掺杂氮氧化硅的表征

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号