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【2h】

1Tantalum Carbide and Nitride Diffusion Barriers for Cu Metallisation

机译：1金属碳化物和氮化物扩散阻挡铜金属化

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T. Laurilaa; K. Zeng; J. K. Kivilahti; J. Molarius; T. Riekkinen; I. Suni;
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年度 2016
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1. Tantalum carbide and nitride diffusion barriers for Cu metallisation [J] . T. Laurila, K. Zeng, J.K. Kivilahti, Microelectronic Engineering . 2003,第1a2期

机译：用于铜金属化的碳化钽和氮化钽扩散阻挡层
2. Meeting the Cu diffusion barrier challenge using ALD tungsten nitride carbide [J] . Wonyong Koh, Devendra Kumar, Wei-Min Li, Solid state technology . 2005,第6期

机译：使用ALD氮化钨应对Cu扩散势垒挑战
3. Tungsten Carbide as a Diffusion Barrier on Silicon Nitride Active-Metal-Brazed Substrates for Silicon Carbide Power Devices [J] . H. A. Mustain, William D. Brown, Simon S. Ang Journal of Electronic Packaging . 2009,第3期

机译：碳化钨作为氮化硅在有源金属钎焊的碳化硅功率器件基板上的扩散阻挡层
4. Tantalum carbide and nitride diffusion barriers for Cu metallisation [C] . T. Laurila, K. Zeng, J.K. Kivilahti, European workshop on materials for advanced metallization . 2002

机译：Cu金属化的碳化物和氮化物扩散屏障
5. Integration of amorphous tantalum silicon nitride (TaSiN) films as diffusion barriers in a Cu/SiLK(TM) metallization scheme. [D] . Padiyar, Sumant Devdas. 2003

机译：在Cu / SiLK（TM）金属化方案中，集成非晶钽氮化硅（TaSiN）薄膜作为扩散阻挡层。
6. Diffusion Barrier Performance of AlCrTaTiZr/AlCrTaTiZr-N High-Entropy Alloy Films for Cu/Si Connect System [O] . Chunxia Jiang, Rongbin Li, Xin Wang, 2020

机译：用于Cu / Si Connect系统的Alcrtatizr / AlcrtatizR-N高熵合金薄膜的扩散阻挡性能
7. Diffusion barriers for Cu metallisation in Si integrated circuits : deposition and related thin film properties [O] . Bystrova Svetlana 2004

机译：si集成电路中Cu金属化的扩散阻挡层：沉积和相关的薄膜特性

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