机译:高密度和低VMIN应用的金属耦合和电荷共享写入电路方案的高密度和电荷共享辅助电路方案的5nm 135 Mb SRAM。
机译:具有14nm FinFET CMOS技术的0.6 V,1.5 GHz 84 Mb SRAM,具有电容性电荷共享写辅助电路
机译:具有高
机译:使用FinFET的高度可靠的SRAM电路技术
机译:基于FinFET的SRAM和单片3-D集成电路设计
机译:基于射频/模拟电路的非对称漏极扩展Dual-kk Trigate叠底FinFET
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机译:开发一种高可靠性的空间环境用印刷电路复合板。