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机译:关于短沟道效应的FinFET阈值电压变化分析
Y. Kobayashia; Angada B. Sachidc; K. Tsutsuia; K. Kakushimaa; P. Ahmetb; V. Ramgopal Raoc; H. Iwaib;
机译:鳍式场效应晶体管中阈值电压变化的分析:短沟道效应的分离
机译:针对不同的阈值电压和电源电压,优化了小型FinFET上的短沟道效应和外部电阻
机译:短沟道FinFET的解析统一阈值电压模型及实现
机译:短信效应阈值电压变化分析
机译:全面的电容电压分析,包括锗和其他替代沟道材料上高k界面的量子效应。
机译:神经保护药NS-7对肾上腺嗜铬细胞电压依赖性钠通道的短期和长期差异作用
机译:梯形截面对FinFET阈值电压和拐角效应的影响
机译:形成短通道和长通道finFET器件以调节阈值电压的方法
机译:部分通道掺杂变化的非对称阈值电压FINFET器件
机译:晶体管可提供理想的阈值电压,并通过正向体偏置降低短沟道效应
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