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【2h】

A CMOS VCO architecture suitable for sub-1 volt high-frequency (8.7-10 GHz) RF applications

机译：CmOs VCO架构，适用于低于1伏的高频（8.7-10 GHz）RF应用

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Ahmed H. Mostafa; Mourad N. El-gamal;
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年度 2001
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1. A CMOS VCO architecture suitable for sub-1 volt high-frequency (8.7-10GHz) RF applications [J] . Ahmed H. Mostafa, Mourad N. El-Gamal Analog Integrated Circuits and Signal Processing . 2003,第2期

机译：CMOS VCO架构，适合低于1伏的高频（8.7-10GHz）RF应用
2. A Sub-1-V 4-GHz CMOS VCO and a 12.5-GHz oscillator for low-voltageand high-frequency applications [J] . Mostafa A.H., El-Gamal M.N., Rafla R.A. IEEE Transactions on Circuits and Systems. II, Express Briefs . 2001,第10期

机译：用于低压和高频应用的Sub-1-V 4-GHz CMOS VCO和12.5-GHz振荡器
3. A 2.4?GHz Low Power Low Phase-Noise Enhanced FOM VCO for RF Applications Using 180?nm CMOS Technology [J] . Divyesh Sachan, Harshbardhan Kumar, Manish Goswami, Wireless personal communications: An Internaional Journal . 2018,第1期

机译：一个2.4？GHz低功耗低功耗低相位噪声增强FOM VCO用于使用180？NM CMOS技术的RF应用
4. A CMOS VCO architecture suitable for sub-1 volt high-frequency (8.7-10 GHz) RF applications [C] . Ahmed Mostafa, Mourad El-Gamal Low Power Electronics and Design . 2001

机译：CMOS VCO架构，适用于低于1伏的高频（8.7-10 GHz）RF应用
5. Design of a CMOS VCO and frequency divider for 5 GHz applications. [D] . Shylendra, Prithvi. 2006

机译：用于5 GHz应用的CMOS VCO和分频器的设计。
6. Designing a Ring-VCO for RFID Transponders in 0.18 μm CMOS Process [O] . Jubayer Jalil, Mamun Bin Ibne Reaz, Mohammad Arif Sobhan Bhuiyan, -1

机译：在0.18μmCMOS工艺中设计用于RFID应答器的Ring-VCO
7. A 120 GHz QVCO with 16.2 GHz tuning range resistent against VCO pulling in 45 nm CMOS [O] . Volkaerts Wouter, Steyaert Michiel, Reynaert Patrick 2014

机译：具有16.2 GHz调谐范围的120 GHz QVCO可以抵抗45 nm CMOS中的VCO拉动

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