机译:原子层沉积在InAs上生长的EOT HfO2(<1 nm)的结构和电学性质及其热稳定性
机译:低于1 nm的EOT缩放比例,适用于高k /金属栅堆叠
机译:绝缘体上量子阱InAs晶体管的自对准后栅工艺
机译:具有自对准金属触点和Sub-1 nm EOT HfO2绝缘体的Sub-30 nm InAs量子阱MOSFET
机译:铟镓砷金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)具有5 nm沟道,并通过MBE再生长实现自对准源/漏。
机译:氟化HfO2 / SiON栅堆叠的单轴应变nMOSFET的电学特性
机译:8ÅEOT HfO2 N-MOSFETS随时间变化的介电击穿和应力引起的漏电流特性