机译:400 MeV / u碳在厚铅靶上的散裂反应中中子活化率的研究
机译:质子在420和590 MeV入射能量下由质子在厚铅/铋靶中产生的中子散裂产量
机译:400 MeV / u碳离子在厚铅靶中产生的中子散裂产率
机译:中子生产在厚的铅目标上0.9-和1.5-GEV质子的脱晶反应 - 实验数据和MCNPX模拟的比较
机译:系统地研究了低激发能下的208铅靶和射弹相差两个中子的核聚变反应。
机译:Ewald:扩展的广角劳厄衍射仪用于散裂中子源的第二目标站
机译:400meV / U碳在厚铅靶中的中子活化产率的研究