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30–40-GHz Drain-Pumped Passive-Mixer MMIC Fabricated on VLSI SOI CMOS Technology

机译：采用VLsI sOI CmOs技术制造的30-40GHz漏极泵浦无源混频器mmIC

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Member Ieee; Marcel Kossel; Heinz Jäckel;
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年度 2009
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1. 30-40-GHz Drain-Pumped Passive-Mixer MMIC Fabricated on VLSI SOI CMOS Technology [J] . Frank Ellinger, Lucio Carlo Rodoni, Gion Sialm, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques . 2004,第5期

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2. 26.5–30-GHz Resistive Mixer in 90-nm VLSI SOI CMOS Technology With High Linearity for WLAN [J] . Ellinger F. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques . 2005,第8期

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3. A low-voltage 40-GHz complementary VCO with 15% frequency tuning range in SOI CMOS technology [J] . Neric Fong, Jonghae Kim, Plouchart J.-O., IEEE Journal of Solid-State Circuits . 2004,第5期

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