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A modified transferred-electron high-field mobility model for GaN devices simulation

机译：用于GaN器件模拟的改进的转移电子高场迁移率模型

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Valentin O. Turin;
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年度 2005
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1. A modified transferred-electron high-field mobility model for GaN devices simulation [J] . Valentin O. Turin Solid-State Electronics . 2005,第10期

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2. Theoretical Investigation of Terahertz GaN Mesa Transferred-Electron Device by Means of Time-Domain Energy/Momentum Modeling [J] . Dalle C., Dessenne F., Thobel J.-L. Electron Devices, IEEE Transactions on . 2012,第12期

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4. High-field electron mobility model of vertical charge transport in Al/Al_2O_3/GaN/AlGaN/GaN heterostructures [C] . Juraj Racko, Miroslav Mikolasek, Tibor Lalinsky, Applied Physics of Condensed Matter . 2018

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