机译:采用0.35μmCMOS工艺的3.0V 200MS / s 8位折叠/内插ADC的设计
机译:设计3.0V 200ms / s 8位折叠/插值ADC,CMOS工艺0.35μm
机译:用于512×424飞行时间图像传感器的0.13μmCMOS片上系统,具有高达130 MHz的多频率光电解调和2 GS / s ADC
机译:适用于片上系统应用的面向未来的超快8位CMOS ADC
机译:适用于片上系统应用的高性能CMOS可编程逻辑内核。
机译:具有片上系统应用混合传感器/存储器特性的CMOS兼容多晶硅纳米线器件
机译:低噪声CmOs模拟前端电路,具有8位1ms / s aDC,适用于空间应用的硅传感器