首页> 外文OA文献 >VELOCITY OVERSHOOT OF ELECTRONS AND HOLES IN Si INVERSION LAYERS

【2h】

VELOCITY OVERSHOOT OF ELECTRONS AND HOLES IN Si INVERSION LAYERS

机译：si反转层中电子和孔的速度超过

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
D. Sinitsky; F. Assaderaghi; M. Orshansky; J. Bokor; C. Hu;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 1996
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. High-field transport of inversion-layer electrons and holes including velocity overshoot [J] . Assaderaghi F., Sinitsky D. IEEE Transactions on Electron Devices . 1997,第4期

机译：反转层电子和空穴的高场传输，包括速度超调
2. High field hole velocity and velocity overshoot in silicon inversion layers [J] . Sinitsky D., Assaderaghi F. IEEE Electron Device Letters . 1997,第2期

机译：硅反型层中的高场孔速度和速度过冲
3. Electron velocity overshoot at room and liquid nitrogen temperatures in silicon inversion layers [J] . Shahidi G.G., Antoniadis D.A. IEEE Electron Device Letters . 1988,第2期

机译：室温和液氮温度下硅反转层中的电子速度超调
4. Saturation velocity and velocity overshoot of inversion layer electrons and holes [C] . Assaderaghi, F., Sinitsky, . 1994

机译：反转层电子和空穴的饱和速度和速度过冲
5. Hole mobility in strained germanium and vanadium-III p-channel inversion layers with self-consistent valence subband structure and high-k insulators. [D] . Zhang, Yan. 2010

机译：具有自洽价子带结构和高k绝缘体的应变锗和钒III p沟道反型层中的空穴迁移率。
6. A hole inversion layer at the BiVO4/Bi4V2O11 interface produces a high tunable photovoltage for water splitting [O] . Wayler S. dos Santos, Mariandry Rodriguez, André S. Afonso, -1

机译：BiVO4 / Bi4V2O11界面上的空穴反转层可产生高可调光电压用于水分解
7. High-Field Transport of Inversion-Layer Electrons and Holes Including Velocity Overshoot [O] . Fariborz Assaderaghi, Dennis Sinitsky, Jeffrey Bokor, 2008

机译：反向层电子和空穴的高场输运，包括速度超调

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号