首页> 外文OA文献 >SONNS Memory: Improvement Over SONOS Flash Memory

【2h】

SONNS Memory: Improvement Over SONOS Flash Memory

机译：sONNs内存：改进sONOs闪存

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Min Sheapos; Tsu-jae King;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2014
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Stacked Gated Twin-Bit (SGTB) SONOS Memory Device for High-Density Flash Memory [J] . Shim W. B., Cho S., Lee J. H., Nanotechnology, IEEE Transactions on . 2012,第2期

机译：用于高密度闪存的堆叠门控双位（SGTB）SONOS存储设备
2. Reliability and Processing Effects of Bandgap-Engineered SONOS (BE-SONOS) Flash Memory and Study of the Gate-Stack Scaling Capability [J] . Wang S.-Y., Lue H.-T., Du P.-Y., IEEE transactions on device and materials reliability . 2008,第2期

机译：带隙工程SONOS（BE-SONOS）闪存的可靠性和处理效果以及门堆叠扩展能力的研究
3. A High-Performance Body-Tied FinFET Bandgap Engineered SONOS (BE-SONOS) for nand-Type Flash Memory [J] . Tzu-Hsuan Hsu, Hang Ting Lue, Ya-Chin King, IEEE Electron Device Letters . 2007,第期

机译：高性能，体贴式FinFET带隙工程SONOS（BE-SONOS），用于nand型闪存
4. SONNS memory: improvement over SONOS flash memory [C] . Min She, Takeuchi, H., . 2003

机译：SONNS存储器：对SONOS闪存的改进
5. Consistency, consolidation, and cognition in autobiographical memories: A flashbulb memory approach. [D] . Kraha, Amanda. 2013

机译：自传性记忆中的一致性，合并和认知：一种闪光灯记忆方法。
6. Investigation of Intra-Nitride Charge Migration Suppression in SONOS Flash Memory [O] . Seung-Dong Yang, Jun-Kyo Jung, Jae-Gab Lim, 2019

机译：SONOS闪存中氮化物内电荷迁移抑制的研究
7. A hot hole-programmed and low-temperature-formed SONOS flash memory [O] . 2013

机译：热孔编程和低温成型的SONOS闪存

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号