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【2h】

A Study of Multiple-Valued Magnetoresistive RAM (MRAM) Using Binary MTJ Devices

机译：用二进制mTJ器件研究多值磁阻Ram（mRam）

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Hiromitsu Kimura; Kostas Pagiamtzis; Ali Sheikholeslami; Takahiro Hanyu;
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年度 2008
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