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【2h】

Low-leakage asymmetric-cell SRAM

机译：低泄漏不对称单元sRam

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Navid Azizi; Student Member; Farid N. Najm; Andreas Moshovos; Associate Member;
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年度 2002
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1. Low-leakage asymmetric-cell SRAM [J] . Azizi N., Najm F.N., Moshovos A. IEEE transactions on very large scale integration (VLSI) systems . 2003,第4期

机译：低泄漏非对称单元SRAM
2. Asymmetric Underlapped Sub-10-nm n-FinFETs for High-Speed and Low-Leakage 6T SRAMs [J] . Arun Goud Akkala, Rangharajan Venkatesan, Anand Raghunathan, IEEE Transactions on Electron Devices . 2016,第3期

机译：用于高速和低泄漏6T SRAM的不对称欠重叠Sub-10-nm n-FinFET
3. Design Techniques and Architectures for Low-Leakage SRAMs [J] . Calimera A., Macii A., Macii E., Circuits and Systems I: Regular Papers, IEEE Transactions on . 2012,第9期

机译：低泄漏SRAM的设计技术和架构
4. Low-leakage asymmetric-cell SRAM [C] . Navid Azizi, Andreas Moshovos, Farid N. Najm International symposium on Low power electronics and design . 2002

机译：低泄漏非对称单元SRAM
5. Designing robust and low-leakage VLSI circuits at the end of silicon roadmap: Technology and circuit perspectives. [D] . Mukhopadhyay, Saibal. 2006

机译：在硅技术路线图的末尾设计健壮且低泄漏的VLSI电路：技术和电路角度。
6. Multiple Observations for Secret-Key Binding with SRAM PUFs [O] . Lieneke Kusters, Frans M. J. Willems 2021

机译：与SRAM PUFS的秘密密钥绑定多次观察
7. Low-Leakage Asymmetric-Cell SRAM [O] . Navid Azizi, Andreas Moshovos, Ms G, 2002

机译：低泄漏非对称单元sRam

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