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【2h】

Two Approaches to Dislocation Nucleation in the Supported Heteroepitaxial Equilibrium Islanding Phenomenon

机译：支撑异质外延平衡孤岛现象中位错成核的两种方法

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作者
J. Jalkanen; O. Trushin; K. Elder; E. Granato; S. C. Ying;
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年度 2008
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1. Dislocation Nucleation in SiGe Nanoscale Islands Formed during Heteroepitaxial Growth [J] . V. A. Zinovev Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing . 2009,第4期

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2. Misfit and dislocation nucleation during heteroepitaxial growth [J] . Muhammad Ajmal Choudhary, Julia Kundin, Heike Emmerich Computational Materials Science . 2014,第Null期

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3. Dislocation nucleation in heteroepitaxial semiconducting films [J] . B. Pichaud, N. Burle, M. Texier, Diffusion and Defect Data. Solid State Data, Part B. Solid State Phenomena . 2010,第Null期

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机译：偏离杂交半导体膜的脱位成核
5. Plastic instability due to collective dislocation effect in Portevin-Le Châtelier effect and dislocation nucleation [D] . Gu, Xuemin 2006

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6. Heteroepitaxial Growth of High-Quality and Crack-Free AlN Film on Sapphire Substrate with Nanometer-Scale-Thick AlN Nucleation Layer for AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes [O] . Jie Zhao, Hongpo Hu, Yu Lei, 2019

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