机译:栅极引起的漏极泄漏对负字线偏置的256 Mbit DRAM保留时间分布的影响
机译:DRAM晶体管的栅极感应漏电流中导致随机电报噪声的氧化物陷阱的特性
机译:使用栅极感应漏漏(GIDL)电流的无电容器1T-DRAM技术,用于低功耗和高速嵌入式存储器
机译:栅极感应的漏极泄漏电流对DRAM数据保留时间的尾部分布的影响
机译:活性污泥工艺中粒度分布的研究:固体保留时间和工艺配置的影响。
机译:事件间时间的长尾分布是指数分布的混合
机译:由于随机编程电荷引起的电流路径渗透效应,在多时间程序mLC sONOs存储器中的Vt保持分布尾部
机译:mOs器件中栅极引漏漏电流