首页> 外文OA文献 >The Effect of Design Parameters on Single-Event Upset Sensitivity of MOS Current Mode Logic
【2h】

The Effect of Design Parameters on Single-Event Upset Sensitivity of MOS Current Mode Logic

机译:设计参数对mOs电流模式逻辑单事件翻转灵敏度的影响

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号