机译:me模谐振器的内部差分电介质转换
机译:适用于功率约束应用的0.25μM绝缘硅上CMOS工艺中的4.5mW 3-5 GHz低噪声放大器
机译:通过在硅上异质结生长实现3C单晶碳化硅微机械谐振器的固体内部能量耗散
机译:4.5 GHz硅棒谐振器的内部介电转换
机译:通过电流-电压,电容-电压和内部光发射法测量的四个氢和六个氢碳化硅的(0001),(0001bar),(11bar00)和(12bar10)晶面的肖特基势垒。
机译:多孔硅的介电特性用作140至210 GHz频率范围内毫米波器件的片上集成的基板
机译:使用内部静电传导的硅棒上氮化硅