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【2h】

Deep Submicrometer SOI MOSFET Drain Current Model Including Series Resistance, Self-Heating and Velocity Overshoot Effects

机译：深亚微米SOI MOSFET漏极电流模型，包括串联电阻，自加热和速度过冲效应

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J. B. Roldán; F. Gámiz; J. A. López-villanueva; P. Cartujo-cassinello;
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年度 2013
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1. Deep submicrometer SOI MOSFET drain current model including series resistance, self-heating and velocity overshoot effects [J] . Roldan J.B., Gamiz F. IEEE Electron Device Letters . 2000,第5期

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2. A model for the drain current of deep submicrometer MOSFETs including electron-velocity overshoot [J] . Roldan J.B., Gamiz F. IEEE Transactions on Electron Devices . 1998,第10期

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3. An accurate drain current model of SOI high voltage lateral MOSFETs including self-heating effect [J] . Mueng-Ryul Lee, Oh-Kyong Kwon 電子情報通信学会技術研究報告. シリコン材料·デバイス. Silicon Devices and Materials . 2001,第164期

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4. Analytical Drain Current Model For Damaged Gate All Around (GAA) MOSFET Including Quantum and Velocity Overshoot Effects [C] . Rajni Gautam, Manoj Saxena, R.S.Gupta, NSTI nanotechnology conference and expo;Nanotech conference expo;NSTI-Nanotech 2012;TechConnect world annual conference expo . 2012

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5. Drain engineering for deep submicrometer MOSFET devices [D] . Tsai, Jiunn-Yann. 1996

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7. A Model for the Drain Current of Deep Submicrometer MOSFET’s Including Electron-Velocity Overshoot [O] . J. B. Roldán, F. Gámiz, J. A. Lopez-villanueva, 2013

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